rBackup（Rapid Backup)提供了一種將數(shù)據(jù)從DDR快速寫入到Nand Flash的技術(shù)，與正常掉電保護(hù)相比，此項技術(shù)的發(fā)明是為了應(yīng)對SSD上鉭電容或超級電容隨時間推移而老化至無法達(dá)到初始設(shè)計電量從而無法真正起到斷電保護(hù)作用而發(fā)明的一項技術(shù)。

技術(shù)背景：

    為了提升SSD性能，目前市面主流的SSD都會采用SDRAM或者DDR做緩存，為了應(yīng)對異常斷電后DDR中數(shù)據(jù)丟失甚至是映射表丟失等問題，通常SSD廠商會使用鉭電容或者超級電容做斷電保護(hù)，當(dāng)遭遇異常斷電的情況，鉭電容或超級電容提供足夠的電量供DDR中數(shù)據(jù)被完全寫入Nand Flash，從而保證數(shù)據(jù)的完整性。

     人們總是解決了一個舊的問題，從而帶來一個新的問題。這個看似不錯的性能和可靠性兼容的解決方案其實隱藏著巨大的安全隱患。

    鉭電容或者超級電容都會隨充放電次數(shù)的增加或者時間的推移而逐步老化，SSD的廠商保修時間或者使用壽命通常會在3-5年，顯然，這個保修時間并未考慮到電容的老化問題，假設(shè)，當(dāng)鉭電容因為老化只能提供初始設(shè)計電量的50%時，如何可以保證SSD在遭遇異常斷電后SDRAM中的所有數(shù)據(jù)可以有足夠的電量寫入Nand Flash？如果電量不足，可能會導(dǎo)致如下的嚴(yán)重故障：

1、導(dǎo)致更新中的映射表丟失，從而導(dǎo)致SSD完全失效；

2、導(dǎo)致SDRAM中的數(shù)據(jù)丟失；

3、如果多次異常斷電，可能會導(dǎo)致假性新增壞塊快速增加；

這些潛在隱患對SSD的可靠性是嚴(yán)重的安全隱患，在關(guān)鍵的應(yīng)用領(lǐng)域，可能會導(dǎo)致災(zāi)難性事件的發(fā)生。

領(lǐng)存rBackup發(fā)明技術(shù)解決這一安全隱患，利用rBackup技術(shù)，可以將DDR寫入Nand Flash的所需時間減少50%-70%，《一種異常斷電時固態(tài)硬盤數(shù)據(jù)快速備份的方法及系統(tǒng)》的發(fā)明專利詳細(xì)闡述了實現(xiàn)的方法。